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BU810中文资料

BU810图片

BU810外观图

  • 大小：109.18KB
  • 厂家：ISC [Inchange Semiconductor Company Limited]
  • 描述：isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：400V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 700mA，7A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：1mA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：-
  • 功率 - 最大：75W
  • 频率 - 转换：-
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商设备封装：TO-220AB
  • 包装：管件
  • 其它名称：497-7198-5BU810-ND

BU810供应商

更新时间:2023-01-04 12:24:13
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